二维PIC-MCC程序EPPIC2D及HIIPC 2023-03-28 16:07 Ø偏滤器在聚变装置的广泛应用; 偏滤器靶板由瓦片组成,瓦片之间有缝隙; 流体程序不能模拟缝隙等离子体; 偏滤器缝隙等离子体的复杂性使得研究氢同位素在缝隙的滞留更加困难。 Ø二维PIC-MCC模型(EPPIC2D)模拟偏滤器缝隙鞘层等离子体特性; HIIPC模拟氢同位素在缝隙中的滞留。 Ø此研究可以获得瓦片缝隙的等离子体结构,入射到瓦片各面的能流粒子流,缝隙位形和等离子体参数对滞留和瓦片侵蚀的影响. 【关闭窗口】
Ø偏滤器在聚变装置的广泛应用; 偏滤器靶板由瓦片组成,瓦片之间有缝隙; 流体程序不能模拟缝隙等离子体; 偏滤器缝隙等离子体的复杂性使得研究氢同位素在缝隙的滞留更加困难。